• Гарантия
    3 мес
  • Доступно:
    16 шт.
25 219р.
В наличии
Официальная гарантия

На все товары

Оформи в кредит

По паспорту

Общие характеристики
DRAM буфер есть
DRAM буфер есть
DWPD 0.33
DWPD 0.33
NVMe нет
Аппаратное шифрование данных  есть
Вес 86 г
Длина 100 мм
Код производителя [MZ-77E1T0B/EU]
Количество бит на ячейку  3 бит MLC (TLC)
Комплектация документация
Максимальная перегрузка (ударостойкость) 1500 G
Максимальная скорость последовательного чтения  560 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи  530 Мбайт/сек
Максимальный ресурс записи (TBW)  600 ТБ
Модель Samsung 870 EVO
Объем DRAM буфера  1024 МБ
Объём накопителя 1000 ГБ
Разъем подключения SATA
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) 98000 IOPS
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) 88000 IOPS
Структура памяти  3D NAND
Тип 2.5" SATA накопитель
Толщина 6.8 мм
Ширина 69.85 мм